Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів
2

Nitrogen in ultra-thin gate oxides: its profile and functions

Рік:
1999
Мова:
english
Файл:
PDF, 163 KB
english, 1999
8

Calculation of astrophysical reaction rate of 82 Ge(n,γ) 83 Ge

Рік:
2009
Мова:
english
Файл:
PDF, 438 KB
english, 2009
10

TCAD Study of the Raised SiGe Source/Drain in 40nm PMOS

Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 513 KB
english, 2015
13

Investigation of In Situ Boron-Doping in SiGe Source/Drain Layer Growth for PMOS Devices

Рік:
2015
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.72 MB
english, 2015